LTH02 · 2026-10-16 · 고객 노드별 출하·수율 평가

High-NA 채택이 고객 Good Wafer 원가에 유리한가

공정 노드/Layer별 High-NA 도입은 Mask·Resist·Multi-patterning·수율·고객 개발 일정의 선택. 같은 제품의 양품 웨이퍼 비용과 실제 Fab 준비에 따라 채택 속도 다름

기존에 기대했던 경로

High-NA가 나왔으니 기존 EUV 장비는 일시에 모두 바뀐다

새 증거를 반영한 분기

서로 다른 기술·고객 구매 경로 2개

이 항목들은 기술 선택지 또는 독립 검증 관문입니다. 서로 다른 시장을 병렬로 보되 반드시 같은 시점에 구매하거나 순서대로 도입한다고 가정하지 않습니다.

기존 전제

기존 EUV/멀티패터닝의 단위 wafer 원가

확인해야 할 새 조건

Layer 최적화와 생산성 향상으로 계속 사용 가능

기존 전제

모든 Layer를 한 번에 전환

확인해야 할 새 조건

고객별 채택 Layer와 양품/wafer 수율 기준 단계적 양산

기술

Overlay·Pupil/Optics, 패터닝 레이어 수·Defect/Dose·가동률

사용

TSMC·Intel·삼성 등 고객별 제품 qualification/Layer 도입 일시

정책

수출통제/고급 공정 장비 수출 승인 범위

두 산업의 변화를 기계적으로 연결하지 않습니다. 어떤 실제 조건에서 한쪽이 다른 쪽을 촉진·대체·잠식하는지 기록합니다.

LTH02E01병렬 보완

성립 조건노드별 High-NA 적용과 패키징 구조 변경이 양품 wafer/패키지를 각각 개선하는 경우

수혜 이동전공정/후공정 다른 원가·출하 유인

금지할 비약패키징이 High-NA·기존 EUV를 전면 대체하는 단일 시장으로 합산 금지

High-NA 고객 인수 대수×ASP와 기존 EUV/upgrades 잠식·보완

성장 서사가 뒤집히는 조건

성능의 명목적 향상에도 per-good-wafer 가격/처리량과 고객 수율이 불리하면 채택이 지연

이 상세 흐름은 기존 42개 SemiAnalysis 번호를 대체하거나 늘린 확정 시장이 아닙니다. 원문/그림 논점과 기업 공식자료를 연결한 신규 검증 가설입니다. 별도 고객 계약·재현 측정·실제 수익은 그때마다 승격해야 합니다.